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RN1117MFV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1117MFV
廠商型號

RN1117MFV

參數(shù)屬性

RN1117MFV 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

封裝外殼

SOT-723

文件大小

786.43 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 23:00:00

RN1117MFV規(guī)格書詳情

Switching Applications

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

? With built-in bias resistors

? Simplify circuit design

? Reduce a quantity of parts and manufacturing process

? Complementary to RN2114MFV to RN2118MFV

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1117MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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