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RN2107分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN2107
廠商型號

RN2107

參數(shù)屬性

RN2107 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

177.71 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-22 22:59:00

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RN2107規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

● With built-in bias resistors

● Simplify circuit design

● Reduce a quantity of parts and manufacturing process

● Complementary to RN1107~RN1109

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN2107,LXHF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SSM

  • 描述:

    AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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