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SI9926BDY中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI9926BDY
廠商型號

SI9926BDY

功能描述

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件大小

182.97 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 23:00:00

SI9926BDY規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical

characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit

model is extracted and optimized over the ?55 to 125°C

temperature ranges under the pulsed 0 to 5V gate drive. The

saturated output impedance is best fit at the gate bias near the

threshold voltage.

CHARACTERISTICS

? N-Channel Vertical DMOS

? Macro Model (Subcircuit Model)

? Level 3 MOS

? Apply for both Linear and Switching Application

? Accurate over the ?55 to 125°C Temperature Range

? Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery Characteristics

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI9926BDY

  • 功能描述:

    MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V(G-S)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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