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SIHA18N60E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIHA18N60E
廠商型號(hào)

SIHA18N60E

功能描述

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件大小

320.54 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-29 23:00:00

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SIHA18N60E規(guī)格書詳情

·FEATURES

·Low drain-source on-resistance:

RDS(ON) =0.202Ω (MAX)

·Enhancement mode:

Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRITION

·Switching Voltage Regulators

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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