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SIHA18N60E

iscN-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.202Ω(MAX) ·Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·SwitchingVoltageRegulators

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHA18N60E

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA18N60E-E3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA18N60E-GE3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

18N60

600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

POLARHVHIPERFETPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC18N60usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)≤0.5?@VGS=10V,ID=9A *Ul

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

18A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

18N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

18N60

FastSwitching

?FEATURES ?DrainCurrentID=18A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.4Ω(Max) ?FastSwitching ?APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFA18N60X

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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VISHAY/威世
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Vishay Siliconix
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TO-220-3 整包
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Vishay(威世)
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NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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更多SIHA18N60E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 14:30:00

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