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SPP07N60CFD

CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode

Features ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) CoolMOSCFDdesignedfor: ?SoftswitchingPWMStages ?LC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP07N60CFD

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.7? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPP07N60CFD

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

07N60CFD

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

CJP07N60

N-ChannelPowerMOSFET

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJP07N60

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CJPF07N60

Plastic-EncapsulateMOSFETS

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

CJPF07N60

N-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CMT07N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

[ChampionMicroelectronicCorporation] GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalanc

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

FSA07N60A

N-ChannelEnhancement

InPowerProductLines

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPP07N60CFD

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.7 Ohms

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SPP07N60CFD供應商 更新時間2025-3-30 16:00:00

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