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ST13003DN分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

ST13003DN
廠商型號

ST13003DN

參數(shù)屬性

ST13003DN 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

絲印標識

13003DN

封裝外殼

SOT-32 / TO-225AA,TO-126-3

文件大小

168.79 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 22:58:00

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ST13003DN規(guī)格書詳情

ST13003DN屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的ST13003DN晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Description

The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Very high switching speed

■ Integrated free-wheeling diode

Application

■ Compact fluorescent lamps (CFLs)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    ST13003DN

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 330mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    6 @ 500mA,2V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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