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SVD3205S

Marking:SVD3205S;Package:TO-263-2L;110A, 55V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

SVD3205STR

Marking:SVD3205S;Package:TO-263-2L;110A, 55V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup

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更多SVD3205S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 23:21:00