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VE2045C-E3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VE2045C-E3_V01
廠商型號(hào)

VE2045C-E3_V01

功能描述

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

86.13 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-29 23:00:00

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VE2045C-E3_V01規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Power pack

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

? Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency rectifier of switching

power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters,

and polarity protection application.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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