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VE2045C-E3_V01

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Powerpack ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VBT2045C-E3_V01

DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

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VE24HE-K

高澤見
DIP

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車規(guī)級-超級電容

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 詢價(jià)
更多VE2045C-E3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:05:00

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