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71V424S12YGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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廠(chǎng)商型號(hào) |
71V424S12YGI |
參數(shù)屬性 | 71V424S12YGI 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
封裝外殼 | 36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) |
文件大小 |
72.68 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IDT |
中文名稱(chēng) | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-24 12:20:00 |
人工找貨 | 71V424S12YGI價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
71V424S12YGI規(guī)格書(shū)詳情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V424S12YGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
12ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
22+ |
SMD |
32808 |
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Renesas |
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