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IRF1302S

Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A??

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fast

IRF

International Rectifier

ISF1302

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=49mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KI1302DL

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KRF1302S

HEXFETPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KTD1302

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(AUDIOMUTING)

AUDIOMUTINGAPPLICATION. FEATURES ?HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=12V(Min.). ?HighReversehFE:ReversehFE=20(Min.)(VCE=2V,IC=4mA). ?LowonResistance:RON=0.6?(Typ.)(IB=1mA).

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KTD1302

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

KTD1302

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

KTD1302

NPNTransistors

■Features ●SmallFlatPackage ●AudioMutingApplication ●HighEmitter-BaseVoltage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KTD1302

SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features LowonResistance:Ron=0.6?(Typ.)(IB=1.0mA). Applications Audiomutingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

KTD1302

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES SmallFlatPackage AudioMutingApplication HighEmitter-BaseVoltage

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF1302S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-263
14150
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
22+
TO-263
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
17+
D2-Pak
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
24+
TO-263
501252
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
INFINEON/英飛凌
11+
TO-263
16685
原裝進口無鉛現(xiàn)貨
 詢價
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價
IR
23+
D2-Pak
7600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
D2-Pak
8866
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多IRF1302S供應(yīng)商 更新時間2025-6-21 11:04:00

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