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MJW1302AG

ComplementaryNPN-PNPSiliconPowerBipolarTransistors

TheMJW3281AandMJW1302AarePowerBasepowertransistors forhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinear applications. Features ?Designedfor100WAudioFrequency ?GainComplementary: GainLinearityfrom100mAto7A hFE=45(Min)@IC=8A ?LowHarmonicDistortion ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MM1302A

ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries)

Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

MM1302E

ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries)

Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

MM1302F

ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries)

Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

MM1302G

ProtectionofLithiumIonBatteries(twocellsinseries)

Outline ThisICisforprotectingalithiumionbatteryfromovercharging,excessdischarging,andovercurrent.Ifabnormalitiesoccurduringchargingandexcessvoltageisapplied,ithasafunctionthatturnsofftheexternalFETswitchwhenvoltageisappliedtoeachbatterybeyondaspecifi

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

MT1302A

AxialLeadedLEDLamps

FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation

Marktech

Marktech Corporate

MT1302A-RG

AxialLeadedLEDLamps

FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation

Marktech

Marktech Corporate

MT1302A-RG

MarktechAxialLeadedLensedVersionLEDs

FEATURES ?Allplasticmoldtype ?Willfitinsmallspace ?Lowcurrentoperation

Marktech

Marktech Corporate

MTD1302

TMOSPOWERFET20AMPERES30VOLTS

HDTMOSE-FETHighDensityPowerFETdpakforSurfaceMount N-ChannelEnhancementModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細參數

  • 型號：

    IRF1302S

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-263
14150
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
22+
TO-263
9450
原裝正品，實單請聯(lián)系
 詢價
IR
17+
D2-Pak
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IR
24+
TO-263
501252
免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
INFINEON/英飛凌
11+
TO-263
16685
原裝進口無鉛現貨
 詢價
IR
2016+
TO-263
6528
房間原裝進口現貨假一賠十
 詢價
IR
2015+
D2-Pak
12500
全新原裝,現貨庫存長期供應
 詢價
IR
23+
D2-Pak
7600
全新原裝現貨
 詢價
IR
24+
D2-Pak
8866
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多IRF1302S供應商 更新時間2025-6-21 15:01:00

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