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IRF5305SLPBF	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
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IRF5305SPBF	文件：4.33232 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305STRL	文件：1.48095 Mbytes Page：8 Pages	-55VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-31A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRF5305STRLPBF	文件：366.79 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305STRPBF	文件：1.59267 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF5305STRRPBF	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFNJ5305	文件：22.46 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFR5305	文件：3.75106 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305	文件：156.72 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.065ohm,Id=-31A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR5305	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRFR5305	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFR5305PBF	文件：248.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=-55V,RDS(on)=0.065廓,ID=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR5305PBF	文件：249.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR5305PBF	文件：3.86744 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?PowerMOSFETsarewellknownfor,provid	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR5305TR	文件：1.42062 Mbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GENERALFEATURESVDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRFR5305TR	文件：655.13 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION Theusesadvancedtrench technologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES VDS=-60V,ID=-30A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
IRF5305SLPBF
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Advanced Process Technology

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市安富世紀電子有限公司	IRF5305SMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	IRF5305SMOS(場效應(yīng)管)	IR	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	IRF5305SMOS(場效應(yīng)管)	IR	2022	TO-263	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
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更多IRF5305SLPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-9 13:00:00

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