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IRF820PBF	文件：562.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820PBF	文件：156 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820PBF	文件：3.45273 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF820PBF-BE3	文件：156 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820S	文件：172.4 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=3.0ohm,Id=2.5A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF820S	文件：183.24 Kbytes Page：8 Pages	DynamicdV/dtrating DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.? TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820S	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820SPBF	文件：319.03 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF820SPBF	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820STRLPBFA	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF820STRRPBFA	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI820A	文件：229.29 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=500V ?LowerRDS(ON):2.000?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI820B	文件：649.33 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFI820G	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI820G	文件：279.16 Kbytes Page：6 Pages	HexfetPowermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRFI820G	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI820GPBF	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI820GPBF	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFS820	文件：270.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS820A	文件：263.04 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=500V ■LowerRDS(ON):2.000(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF820PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF820PBF	Vishay Siliconix	24+	TO-220AB	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市榮澤信電子科技有限公司	IRF820PBF	IR	24+	TO-220	15000	全新原裝的現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	IRF820PBF	VISHAY	23+	TO-220	65400		詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	IRF820PBF	VISHAY/威世	2105+	TO-220	10053		詢價(jià)
深圳市安博威科技有限公司	IRF820PBF	VISHAY	21+	TO-220-3	46000	原裝正品有掛有貨	詢價(jià)
深圳市華高宇電子有限公司	IRF820PBF	VISHAY	21+		16000	TO-220-3	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF820PBF	VISHAY/威世	24+	TO-220AB	14136	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRF820PBF	VISHAY	23+	TO-220-3	2000	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價(jià)
深圳市硅宇電子有限公司	IRF820PBF	Vishay(威世)	2249+		60573	二十余載金牌老企研究所優(yōu)秀合供單位您的原廠窗口	詢價(jià)
深圳市桐芯微電子有限公司	IRF820PBF	VISHAY/威世	22+	TO-220	4000	原裝正品實(shí)單價(jià)格可談	詢價(jià)

更多IRF820PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 22:28:00

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