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G4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
G4BC40U	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC40F	文件：167.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) Features ?Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Genera	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC40FPBF	文件：260.22 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORFastSpeedIGBT Benefits ?Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable ?IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions ?Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhards	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC40K	文件：156.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.1V,@Vge=15V,Ic=25A) Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits ?Generation4IGB	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC40KD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC40KPBF	文件：574.4 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 ?IndustrystandardTO-247ACpackage ?Lead-Free Benefits ?Gen	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC40MD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4BC40SPBF	文件：582.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC40U	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRG4BC40W-SPBF
功能描述：
IGBT 晶體管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多IRG4BC40W-SPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 16:30:00

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