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IXBF9N160G	文件：88.26 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Bipolar MOS Transistor HighVoltageBIMOSFET?inHighVoltageISOPLUSi4-PAC? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ?HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETswithsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhigh	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXBF9N160G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：i4-Pac?-5（3 引線）；包裝：管件類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1600V 7A 70W I4PAC	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXBH9N160G	文件：63.26 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor HighVoltageBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor N-Channel,EnhancementModeMOSFETcompatible Features ?HighVoltageBIMOSFETTM -replaceshighvoltageDarlingtonsandseriesconnectedMOSFETs -lowereffectiveRDS(on) ?MOSGateturn-on -drivesimplicity -MOSFETcom	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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