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IXBP5N160G

Monolithic Bipolar MOS Transistor

HighVoltageBIMOSFET? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ?HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Corporation

IXBP5N160G

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

IXYS

IXYS Corporation

IXBH5N160G

HighVoltageBIMOSFETTM

HighVoltageBIMOSFET? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ?HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Corporation

IXBH5N160G

MonolithicBipolarMOSTransistor

HighVoltageBIMOSFET? MonolithicBipolarMOSTransistor Features ?HighVoltageBIMOSFETTM -substituteforhighvoltageMOSFETs withsignificantlylowervoltagedrop -MOSFETcompatiblecontrol 10Vturnongatevoltage -fastswitchingforhighfrequency oper

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBP5N160G

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    7.2V @ 15V，3A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    960V，3A，47 歐姆，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
IXYS
24+
TO-220
8866
詢價(jià)
IXYS
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
326
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO247AD
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO247AD
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
TO-220AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
更多IXBP5N160G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 10:02:00

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