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IXBK55N300

High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackages ?LowConductionLosses ?HighCurrentHandlingCapability ?MOSGateTurn-On-DriveSimplicity Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?Swit

IXYS

IXYS Corporation

IXBK55N300

包裝:管件 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264

IXYS

IXYS Corporation

IXBX55N300

HighVoltage,HighGainBiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackages ?LowConductionLosses ?HighCurrentHandlingCapability ?MOSGateTurn-On-DriveSimplicity Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?Swit

IXYS

IXYS Corporation

產品屬性

  • 產品編號:

    IXBK55N300

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,55A

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 3000V 130A 625W TO264

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-264-3,TO-264AA
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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IXYS
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更多IXBK55N300供應商 更新時間2025-1-9 17:18:00