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IXDP35N60B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細信息
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原廠料號:IXDP35N60B品牌:IXYS
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IXDP35N60B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-220-3的IXDP35N60B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
IXDP35N60B
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,35A
- 開關(guān)能量:
1.6mJ(開),800μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準
- 測試條件:
300V,35A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機:
13530520535
- 詢價:
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號
- IXDN80N60BD1
- IXDP630P1
- IXDN75N120IC
- IXDP630PC
- IXDN75N120AU1
- IXDN75N120A
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- IXDP630PIG
- IXDN75N120
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