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IXDR35N60BD1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXDR35N60BD1參考圖片

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  • 廠家型號：

    IXDR35N60BD1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-9 14:50:00

  • 詳細信息
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原廠料號：IXDR35N60BD1品牌：IXYS

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證

IXDR35N60BD1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXDR35N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXDR35N60BD1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大小：

    122.32 kb

  • 資料說明：

    IGBT with optional Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDR35N60BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    1.6mJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 測試條件：

    300V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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