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IXTP10P50P

PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

PolarP?PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?RuggedPolarPTMProcess ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?High-

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

IXTP10P50P

P通道MOSFET

? 快速本征二極管\n? Rugged PolarP?工藝\n? 雪崩評級\n? 較低的封裝電感\(zhòng)n? 動態(tài)dv/dt額定\n;

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse

IXTQ10P50P

PolarPTMPowerMOSFETsP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

PolarP?PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?InternationalStandardPackages ?AvalancheRated ?RuggedPolarPTMProcess ?LowPackageInductance ?FastIntrinsicDiode Advantages ?EasytoMount ?SpaceSavings ?HighPowerDensity Applications ?High-

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IXTT10P50

StandardPowerMOSFETP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

StandardPowerMOSFET P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advan

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TK10P50W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTP10P50P

  • 功能描述：

    MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXTP10P50P供應商 更新時間2025-8-2 23:00:00

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