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MGP21N60E	文件：127.77 Kbytes Page：6 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGP21N60E	文件：123.26 Kbytes Page：5 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor InsulatedGateBipolarTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MGW21N60ED	文件：152.75 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbotha	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MGW21N60ED	文件：152.61 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbotha	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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SIHA21N60EF	文件：167.73 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES ?FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?IncreasedrobustnessduetolowQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHFP21N60L	文件：162.12 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
MGP21N60E
制造商：
ONSEMI
制造商全稱：
ON Semiconductor
功能描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MGP21N60E	ON	24+		90000		詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	MGP21N60E	ON/安森美	23+	TO	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MGP21N60E	ON/安森美	22+	TO	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	MGP21N60E	ON/安森美	22+	TO	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳和潤天下電子科技有限公司	MGP21N60E	ON/安森美	22+	TO	96933		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MGP21N60E	ON	24+	TO	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	MGP270ZRW	TYCO	2021+	SMD	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	MGP270ZRW	TYCO/泰科	21+	SMD	10000		詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	MGP270ZRW	TYCO/泰科	22+	SMD	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市美思瑞電子科技有限公司	MGP270ZRW	TYCO	22+	SMD	10000	現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!	詢價(jià)

更多MGP21N60E供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 15:30:00

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