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NAND512R3A2DZA6 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 NUMONYX
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
NAND512R3A2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
50ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市誠(chéng)利順電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱麗梅
- 手機(jī):
13510692516
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83015149/83204399
- 傳真:
0755-83015146
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北東方時(shí)代廣場(chǎng)B1609
相近型號(hào)
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- NANO100KD3BN
- NAM12S06-B
- NANO100KE3BN
- NAM03S06-B
- NANO100LC2BN
- NA556N
- NANO100LD2BN
- NA556DR
- NANO100LD3BN
- NA556DG4
- NANO100LE3BN
- NA556D
- NANO100NC2BN
- NA555S-13
- NANO100ND2BN
- NA555PG4
- NANO100ND3BN
- NA555PE4
- NANO100NE3BN
- NA555P
- NANO100SC2BN
- NA555DR
- NANO100SD2BN
- NA555DG4
- NANO100SD3AN-AG
- NA555D
- NANO100SD3BN
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- NANO100SE3BN
- NA12W-K
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