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NE856M03分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE856M03
廠商型號

NE856M03

參數(shù)屬性

NE856M03 封裝/外殼為SOT-623F;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

SOT-623F

文件大小

37.45 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-2 23:00:00

NE856M03規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE856M03 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M03 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE856 is also available in chip, Micro-x, and eight different low cost plastic surface mount package styles.

FEATURES

? NEW M03 PACKAGE:

? Smallest transistor outline package available

? Low profile/0.59 mm package height

? Flat lead style for better RF performance

? LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.4 dB at 1 GHz

? HIGH COLLECTOR CURRENT:

ICMAX = 100 mA

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE856M03-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-623F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M03)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA/
4560
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價(jià)
NEC
2020+
323
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ZXV
20+
SOT-523
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
詢價(jià)
RENESAS
23+
SOT-423
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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23+
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12300
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