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NTH4L028N170M1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NTH4L028N170M1
廠商型號(hào)

NTH4L028N170M1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm

絲印標(biāo)識(shí)

H4L028N170M1

封裝外殼

TO247-4L

文件大小

253.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-24 20:00:00

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NTH4L028N170M1規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 200 pF)

? 100 Avalanche Tested

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? UPS

? DC/DC Converter

? Boost Converter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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