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NTH4L045N065SC1_V01中文資料安森美半導體數據手冊PDF規(guī)格書

NTH4L045N065SC1_V01
廠商型號

NTH4L045N065SC1_V01
功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 33mohm, 650V, M2, TO-247-4L
文件大小

350.4 Kbytes
頁面數量

8 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-6-8 23:01:00
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NTH4L045N065SC1_V01規(guī)格書詳情

Features

? Typ. RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 105 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 162 pF)

? 100 Avalanche Tested

? TJ = 175°C

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? SMPS (Switching Mode Power Supplies)

? Solar Inverters

? UPS (Uninterruptable Powere Supplies)

? Energy Storages

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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