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NTH4L160N120SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
NTH4L160N120SC1_V01 |
功能描述 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L |
文件大小 |
356.61 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-6-22 22:59:00 |
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Features
? Typ. RDS(on) = 160 m
? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC)
? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)
? 100 Avalanche Tested
? TJ = 175°C
? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb?Free 2LI (on second level interconnection)
Typical Applications
? UPS
? DC-DC Converter
? Boost Inverter
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO2474 |
7350 |
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PULSE |
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na |
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THAILAND |
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24+ |
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SMD8 |
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PULSE |
23+ |
SMD |
8160 |
原廠原裝 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
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PULSE |
23+ |
na |
8890 |
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