NTH4L060N090SC1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	NTH4L060N090SC1
功能描述	Silicon Carbide SiC MOSFET - 60 mohm, 900V, M2, TO-247-4L
文件大小	895.48 Kbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時(shí)間	2025-6-8 23:01:00
人工找貨	NTH4L060N090SC1價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

Features

? Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF)

? 100 UIL Tested

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? UPS

? DC?DC Converter

? Boost Inverter

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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