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PHPT60603NY-Q

Marking：0603NAB；Package：SOT669；60 V, 3 A NPN high power bipolar transistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60603PY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Hightemperatureapplicationsupto175°C ?ReducedPrin

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PHPT60603NY

60V,3ANPNhighpowerbipolartransistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PHPT60603PY

60V,3APNPhighpowerbipolartransistor

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PHPT60603PY-Q

60V,3APNPhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. NPNcomplement:PHPT60603NY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Suitableforhightemperatureapplicationsupto175°C ?

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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更多PHPT60603NY-Q供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 15:20:00

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