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PHPT60603PY-Q

Marking：0603PAB；Package：SOT669；60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor

1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. NPNcomplement:PHPT60603NY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Suitableforhightemperatureapplicationsupto175°C ?

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PHPT60603NY

60V,3ANPNhighpowerbipolartransistor

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PHPT60603NY-Q

60V,3ANPNhighpowerbipolartransistor

1.Generaldescription NPNhighpowerbipolartransistorinaSOT669(LFPAK56)Surface-MountedDevice(SMD)power plasticpackage. PNPcomplement:PHPT60603PY-Q 2.Featuresandbenefits ?Highthermalpowerdissipationcapability ?Hightemperatureapplicationsupto175°C ?ReducedPrin

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更多PHPT60603PY-Q供應商 更新時間2025-2-13 15:20:00

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