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SPP02N60C3

Cool MOS Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60C3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPP02N60S5

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60S5

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitance ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformancean

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPP02N60S5

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SPP02N60C3

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60C3

COOL MOS POWER TRANSISTOR

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60C3_07

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60C3_09

COOL MOS POWER TRANSISTOR

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPP02N60S5

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SPP02N60

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
2020+
TO-220
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-220
18290
原裝進口假一罰十
 詢價
INFINEON
23+
TO-220
6000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
INFINEON
23+
T0-220
7936
詢價
INFINEON
24+
原封裝
1000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INFINEON
10PHI
TO-220
2500
原廠直銷
 詢價
INFINEON
2016+
TO-220
3000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
更多SPP02N60供應商 更新時間2025-1-25 13:58:00

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