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02N60C3	文件：1.71683 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SPB02N60C3	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPB02N60C3	文件：2.03131 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPD02N60C3	文件：1.08852 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPD02N60C3	文件：294.92 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：336.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Ultraloweffectivecapacitance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPD02N60C3	文件：1.22437 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：1.01922 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPN02N60C3	文件：259.97 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances ?Extremedv/dtrated ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPN02N60C3	文件：2.08608 Mbytes Page：11 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeUltraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPP02N60C3IN
制造商：
Infineon Technologies AG

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPP02N60C3IN	Infineon(英飛凌)	23+	TO-220	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	SPP02N60C3XKSA1	INFINEON	1809+	SMD	3675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
深圳市易訊博科技有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon	22+	NA	493	加我QQ或微信咨詢(xún)更多詳細(xì)信息,	詢(xún)價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon Technologies	22+		9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢(xún)價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢(xún)價(jià)
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深圳市納睿斯電子科技有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon Technologies			30000	原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SPP02N60C3XKSA1	Infineon Technologies	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SPP02N60C3低壓MOS管	VBSEMI/臺(tái)灣微碧	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢(xún)價(jià)

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