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IRF640NL	文件：155.4 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.15ohm,Id=18A) Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NL	文件：240.04 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NL	文件：160.31 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,18A,0.15ohm Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.102?(Typ),VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER? ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRateingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
IRF640NL	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NL	文件：288.63 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-262packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchingapplic	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRF640NL	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NLPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NLPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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