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IRFB4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4410ZPBF	文件：336.33 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4410ZPBF_15	文件：336.33 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4410Z	文件：300.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI4410ZGPBF	文件：237.48 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4410ZPBF	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4410ZPBF	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4410ZPBF	文件：587.92 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP4410Z	文件：336.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4410ZPBF	文件：283.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4410ZPBF	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4410	文件：409.06 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4410	文件：189.28 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4410PBF	文件：796.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4410PBF	文件：805.55 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4410Z	文件：189.6 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4410Z	文件：531.62 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free RoHSCompliant,Halogen-Free VDS=100V ID(atVGS=10V)=97A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFS4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4410	文件：409.06 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4410	文件：331.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFB4410ZPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司	IRFB4410ZPBF	INFINEON	21+	TO-220	10000	原裝正品	詢價
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB4410ZPBF	IR	23+	TO-220	20540	保證進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	IRFB4410ZPBF	IR	24+	TO-220	20000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFB4410ZPBF	IR	2020+	TO-220	22000	全新原裝正品現(xiàn)貨庫存價格優(yōu)勢	詢價
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更多IRFB4410ZPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-15 11:00:00

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