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IRFP460	文件：94.03 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheIRFP460issuppliedi	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRFP460	文件：91.86 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 500V - 0.22 ohm - 20 A - TO-247 PowerMESH] MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.22? ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100AVALA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRFP460	文件：55.75 Kbytes Page：7 Pages	20A, 500V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP460	文件：163.67 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A) Features ●Dynamicdv/dtRating ●RepetitiveAvalancheRated ●IsolatedCentralMoutingHole ●FastSwitching ●EaseofParalleling ●SimpleDriveRequirements.	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460	文件：77.25 Kbytes Page：4 Pages	MegaMOS - Power MOSFET MegaMOS?PowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode,HDMOS?Family Features ●Repetitiveavalancheenergyrated ●Fastswitchingtimes ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●HighCommutatingdv/dtRating Applications ●SwitchingPowerSupplies ●Motorcontr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP460	文件：135.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460	文件：67.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP460	文件：203.58 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRFP460	文件：169.48 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460A	文件：212.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460A	文件：95.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A) Applications ?SwitchModePowerSupply(SMPS) ?UninterruptablePowerSupply ?Highspeedpowerswitching Benefits ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageand	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460A	文件：144.68 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?EffectiveCossSpecified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460A_V01	文件：212.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent ?EffectiveCossspecified ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460AS	文件：115.74 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A) Description ThirdGenerationHEXFET?sfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevel	IRF International Rectifier	IRF
IRFP460B	文件：186.09 Kbytes Page：8 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460B	文件：214.41 Kbytes Page：10 Pages	D Series Power MOSFETs FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460B_V01	文件：214.41 Kbytes Page：10 Pages	D Series Power MOSFETs FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460BPBF	文件：188.95 Kbytes Page：9 Pages	D Series Power MOSFET FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP460C	文件：721.35 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFP460
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 20 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFP460	IR	13+	TO-247	50000	勤思達(dá)科技主營IR系列,全新原裝正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	IRFP460	IR	新	進(jìn)口原裝	3000	庫存現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	IRFP460	IR	20+	TO247	12560	一級代理品牌原裝正品	詢價(jià)
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	IRFP460	IR	16+	TO247	50000	深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFP460	INFINEON	23+	TO-247	10000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
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更多IRFP460供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-6 11:04:00

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