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IRFU9210	文件：172.29 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD-	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9210	文件：1.5825 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAK	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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IRFU9210	文件：888.74 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR9210,SiHFR9210) ?Straightlead(IRFU9210,SiHFU9210) ?Availableintapeandreel ?P-channel ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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詳細參數(shù)

型號：
IRFU9210
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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